Wojciech Mysiński

Currently, manufacturers of power-electronic components are trying to introduce the silicon carbide (SiC) technology in their products and MOSFET transistors made with this technology are available on the market. They are characterised by a significantly higher operating frequency, reaching even 100 kHz and low switching losses. The application of this type of devices causes high voltage gradients at the inverter output, which can lead to increased inverter electromagnetic disturbances. This article presents test results and a high-frequency analysis, allowing for a preliminary evaluation of the use of SiC transistors in inverters in the context of electromagnetic compatibility.

Electrical discharge machining is a process of machining a work-piece to a desired shape by using the eroding effect of electric spark discharges. A gap width controller is one of the key components of each electrical discharge machine. It is gap width controllers that mainly determine the machining speed and accuracy. This article describes a gap width controller based on fuzzy logic. The control algorithm operates according to the number of short circuits, open circuits and normal pulses that occur within a control period. A specially developed PC application allows for accessing and modifying electrical discharge machining parameters.

Kompatybilność elektromagnetyczna przekształtnika energoelektronicznego wykonanego w technologii sic.

Producenci komponentów energoelektronicznych wprowadzają obecnie do swoich produktów węglik krzemu (SiC) a tranzystory MOSFET wykonane w tej technologii, pracujące w szerokim zakresie napięciowym i prądowym są dostępne na rynku. Charakteryzują się one wysoką częstotliwością pracy sięgającą 100 kHz i niskimi stratami przełączania. Technologia węglika krzemu umożliwia budowę przekształtników energoelektronicznych, które charakteryzują się w porównaniu z tradycyjną technologią (Si), wysoką sprawnością, mniejszymi gabarytami, mniejszymi elementami pasywnymi oraz większą tolerancją termiczną. W artykule przeanalizowano aspekt kompatybilności elektromagnetycznej przekształtnika wykonanego w technologii SiC. Zaprezentowano wyznaczone poziomy zakłóceń generowanych przez przekształtnik do sieci zasilającej w zakresie harmonicznych i interharmonicznych. Przedstawiono wyniki zaburzeń elektromagnetycznych przewodzonych generowanych do sieci zasilającej, których zwiększone poziomy mogą utrudniać spełnienie przez przekształtnik odpowiednich wymogów normatywnych oraz mogą wpływać niekorzystnie na pracę urządzeń przyłączonych do tej samej sieci zasilającej. Dodatkowo przeanalizowano poziomy zaburzeń elektromagnetycznych przewodzonych również na wyjściu układu przekształtnikowego, których zwiększone poziomy mogą doprowadzić do problemów w zapewnieniu tzw. kompatybilności wewnętrznej badanego układu lub być źródłem emisji elektromagnetycznej promieniowanej. Przedstawione w artykule wyniki badań i analiz przeprowadzone w szerokim paśmie częstotliwości umożliwiają ocenę zastosowania technologii węglika krzemu (SiC) w układzie przekształtnika w zakresie EMC.

As new power transistors, such as SiC Mosfets, are being increasingly used in power electro- nics systems, it has become necessary to use special drivers. This article compares the parame- ters of SiC Mosfet, Si Mosfet, and IGBT gate circuits. Differences are discussed with reference to the ways in which these transistors are controlled. Gate circuit parameters of SiC transistors differ slightly from those of common Mosfet or IGBT transistors, and in order to be able to fully utilise the capabilities of these new devices, it is necessary to employ appropriate drivers. This article discusses one such driver for SiC transistors.

Wykorzystanie metody middlebrook’a do analizy częstotliwościowej układów energoelektronicznych